【川崎】先端パワー半導体デバイスの研究開発 ※年休124日／土日祝休

【川崎】先端パワー半導体デバイスの研究開発 ※年休124日／土日祝休

■業務内容：研究開発センターにおいて、化合物半導体や次世代シリコンの先端パワー半導体デバイスの設計、プロセス開発、評価・解析等の業務を遂行します。
■やりがい・魅力：先端パワー半導体デバイス(化合物半導体(GaN)または次世代Siデバイス)の研究開発業務において、自らのアイディアをベースに最先端技術を創出していくことができ、技術者として非常にやりがいのある業務です。本業務を遂行するための最先端の半導体プロセス開発、デバイス試作が行えるクリーンルームや実験設備、各種評価、計算解析等の実験環境が整備されています。
※研究開発センターとソフトウェア技術センターが所在する小向事業所内に研究開発新棟（仮称）を新しく建設し、2024年度目途に両センターは新棟で執務する予定です。
■研究開発新棟での業務開始に際して：アクティビティ・ベースド・ワーキング（ABW）を導入し、専門分野の異なる研究者・技術者同士が偶然に隣り合わせたり、すれ違ったりすることで会話が生まれ、未来を語り合ったり、お客様の課題の解決方法を一緒に見つけたりなど、21世紀の研究所にふさわしいオープンな環境を実現します。

学歴不問

＜応募資格/応募条件＞
【必須】
・半導体デバイスに関する研究開発業務の経験（デバイス設計(TCAD解析)
・半導体プロセス、デバイス評価・解析のいずれか）を有する方。
【尚可】
・学術論文、特許などの技術専門文書を読み書きできる英語力をお持ちの方。（TOEIC(R)テスト 600点以上が望ましい）
＜語学補足＞
業務上は英会話は必要としません。